NVLJD4007NZTBG

MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
NVLJD4007NZTBG P1
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ON Semiconductor ~ NVLJD4007NZTBG

Numéro d'article
NVLJD4007NZTBG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NVLJD4007NZTBG PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NVLJD4007NZTBG
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 245mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 125mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Puissance - Max 755mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-WDFN (2x2)

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