NTMFS6H836NT1G

T8 80V SO8FL
NTMFS6H836NT1G P1
NTMFS6H836NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS6H836NT1G

Numéro d'article
NTMFS6H836NT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
T8 80V SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTMFS6H836NT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NTMFS6H836NT1G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 74A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 40V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas 8-PowerTDFN, 5 Leads

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