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Numéro d'article | NTMD6N02R2G |
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État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.92A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 16V |
Puissance - Max | 730mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |