NTLLD4951NFTWG

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
NTLLD4951NFTWG P1
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ON Semiconductor ~ NTLLD4951NFTWG

Numéro d'article
NTLLD4951NFTWG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTLLD4951NFTWG
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.5A, 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V
Puissance - Max 800mW, 810mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-WDFN (3x3)

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