NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
NTJD5121NT1G P1
NTJD5121NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTJD5121NT1G

Numéro d'article
NTJD5121NT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTJD5121NT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTJD5121NT1G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V
Puissance - Max 250mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363

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