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Numéro d'article | NTHS2101PT1 |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tj) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 6.4V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.3W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | ChipFET™ |
Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |