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Numéro d'article | NTHD4P02FT1G |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tj) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET Caractéristique | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (Max) | 1.1W (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | ChipFET™ |
Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |