NTGD3149CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
NTGD3149CT1G P1
NTGD3149CT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTGD3149CT1G

Numéro d'article
NTGD3149CT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTGD3149CT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTGD3149CT1G
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 387pF @ 10V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP

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