NTD4963N-35G

MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK
NTD4963N-35G P1
NTD4963N-35G P1
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ON Semiconductor ~ NTD4963N-35G

Numéro d'article
NTD4963N-35G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTD4963N-35G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NTD4963N-35G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.1A (Ta), 44A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I-Pak
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak

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