NJD35N04T4G

TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
NJD35N04T4G P1
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ON Semiconductor ~ NJD35N04T4G

Numéro d'article
NJD35N04T4G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NJD35N04T4G PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article NJD35N04T4G
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 4A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Puissance - Max 45W
Fréquence - Transition 90MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK-3

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