NGTB35N65FL2WG

IGBT 650V 70A 300W TO247
NGTB35N65FL2WG P1
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ON Semiconductor ~ NGTB35N65FL2WG

Numéro d'article
NGTB35N65FL2WG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
IGBT 650V 70A 300W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article NGTB35N65FL2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Puissance - Max 300W
Échange d'énergie 840µJ (on), 280µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 125nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 72ns/132ns
Condition de test 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 68ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247

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