NDT02N40T1G

MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
NDT02N40T1G P1
NDT02N40T1G P1
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ON Semiconductor ~ NDT02N40T1G

Numéro d'article
NDT02N40T1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NDT02N40T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NDT02N40T1G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 400mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 121pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-223 (TO-261)
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA

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