NDDP010N25AZT4H

MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
NDDP010N25AZT4H P1
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ON Semiconductor ~ NDDP010N25AZT4H

Numéro d'article
NDDP010N25AZT4H
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NDDP010N25AZT4H PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NDDP010N25AZT4H
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 20V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK/TP-FA
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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