MMFT2N02ELT1

MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
MMFT2N02ELT1 P1
MMFT2N02ELT1 P1
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ON Semiconductor ~ MMFT2N02ELT1

Numéro d'article
MMFT2N02ELT1
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article MMFT2N02ELT1
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Vgs (Max) ±15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 800mA, 5V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-223
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA

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