MCH6321-TL-E

MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6
MCH6321-TL-E P1
MCH6321-TL-E P1
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ON Semiconductor ~ MCH6321-TL-E

Numéro d'article
MCH6321-TL-E
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MCH6321-TL-E PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article MCH6321-TL-E
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-MCPH
Paquet / cas 6-SMD, Flat Leads

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