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Numéro d'article | FDZ191P_P |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 6-WLCSP (1.0x1.5) |
Paquet / cas | 6-UFBGA, WLCSP |