FDS5672_F095

MOSFET N-CH
FDS5672_F095 P1
FDS5672_F095 P1
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ON Semiconductor ~ FDS5672_F095

Numéro d'article
FDS5672_F095
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDS5672_F095 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDS5672_F095
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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