FDN5632N-F085

MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
FDN5632N-F085 P1
FDN5632N-F085 P1
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ON Semiconductor ~ FDN5632N-F085

Numéro d'article
FDN5632N-F085
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDN5632N-F085
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SuperSOT-3
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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