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| Numéro d'article | FDC642P-F085 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.2W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SuperSOT™-6 |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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FDC6036P_F077 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT | 0 | Détails | |
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