FCU360N65S3R0

MOSFET N-CH 600V IPAK
FCU360N65S3R0 P1
FCU360N65S3R0 P1
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ON Semiconductor ~ FCU360N65S3R0

Numéro d'article
FCU360N65S3R0
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 600V IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FCU360N65S3R0 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FCU360N65S3R0
État de la pièce Active
FET Type -
La technologie -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I-PAK
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak

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