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| Numéro d'article | FCH165N65S3R0-F155 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.9mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 154W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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FCH165N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 23A TO247 | - | 449 | Détails |
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FCH165N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | SF3 650V 165MOHM E TO247L | - | 25507 | Détails |