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| Numéro d'article | EMF18XV6T5G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V, 60V |
| Résistance - Base (R1) (Ohms) | 47k |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 47k |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | 140MHz |
| Puissance - Max | 500mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-563 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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EMF17T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 | 0 | Détails | |
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EMF18XV6T5G | ON Semiconductor | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 | - | 24000 | Détails |