ECH8697R-TL-W

MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
ECH8697R-TL-W P1
ECH8697R-TL-W P1
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ON Semiconductor ~ ECH8697R-TL-W

Numéro d'article
ECH8697R-TL-W
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- ECH8697R-TL-W PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ECH8697R-TL-W
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 24V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur SOT-28FL/ECH8

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