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ON Semiconductor ~ 2SK3747

Numéro d'article	2SK3747
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	37.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 30V
Vgs (Max)	±35V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3PML
Paquet / cas	TO-3P-3 Full Pack

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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