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Numéro d'article | PHM30NQ10T,518 |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 37.6A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 62.5W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-HVSON (6x5) |
Paquet / cas | 8-VDFN Exposed Pad |