PHD37N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
PHD37N06LT,118 P1
PHD37N06LT,118 P1
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NXP USA Inc. ~ PHD37N06LT,118

Numéro d'article
PHD37N06LT,118
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PHD37N06LT,118
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (Max) ±13V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 17A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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