MRFE8VP8600HSR5

BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
MRFE8VP8600HSR5 P1
MRFE8VP8600HSR5 P1
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NXP USA Inc. ~ MRFE8VP8600HSR5

Numéro d'article
MRFE8VP8600HSR5
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MRFE8VP8600HSR5 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article MRFE8VP8600HSR5
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 860MHz
Gain 21dB
Tension - Test 50V
Note actuelle 20µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 1.4A
Puissance - Sortie 140W
Tension - Rated 115V
Paquet / cas NI-1230S-4S
Package de périphérique fournisseur NI-1230S-4S

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