MRF8P20165WHSR3

FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
MRF8P20165WHSR3 P1
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NXP USA Inc. ~ MRF8P20165WHSR3

Numéro d'article
MRF8P20165WHSR3
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article MRF8P20165WHSR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.98GHz ~ 2.01GHz
Gain 14.8dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 550mA
Puissance - Sortie 37W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas NI-780S-4
Package de périphérique fournisseur NI-780S-4

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