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| Numéro d'article | 74HCT4316N,112 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Circuit de commutation | SPST - NO |
| Circuit multiplexeur / démultiplexeur | 1:1 |
| Nombre de circuits | 4 |
| Résistance à l'état (Max) | 135 Ohm |
| Correspondance Channel-to-Channel (& Delta; Ron) | 6 Ohm |
| Tension - Alimentation, Simple (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tension - Alimentation, double (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
| Temps de commutation (Ton, Toff) (Max) | 42ns, 34ns |
| -3db Bande passante | 160MHz |
| Injection de charge | - |
| Capacité de canal (CS (off), CD (off)) | 3.5pF |
| Courant - Fuite (IS (éteint)) (Max) | 100nA |
| Crosstalk | -60dB @ 1MHz |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Paquet / cas | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Package de périphérique fournisseur | 16-DIP |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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74HCT00BQ,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN | 0 | Détails | |
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74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN | 0 | Détails | |
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74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | - | 813637 | Détails |
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74HCT00D(BJ) | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC | - | 2500 | Détails |
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74HCT00D,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 7981 | Détails | |
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74HCT00D,653 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Détails | |
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74HCT00D-Q100,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Détails | |
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74HCT00D/AUJ | NXP USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Détails | |
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74HCT00DB,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 112 | Détails | |
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74HCT00DB,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 0 | Détails | |
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74HCT00N,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP | 0 | Détails | |
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74HCT00PW,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-TSSOP | 0 | Détails |