PSMN6R0-25YLDX

PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
PSMN6R0-25YLDX P1
PSMN6R0-25YLDX P1
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Nexperia USA Inc. ~ PSMN6R0-25YLDX

Numéro d'article
PSMN6R0-25YLDX
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PSMN6R0-25YLDX
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 61A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas SC-100, SOT-669

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