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Numéro d'article | PSMN012-100YLX |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 85A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7973pF @ 25V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 238W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |