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Numéro d'article | PMT200EPEX |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 70V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 822pF @ 35V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | SC-73 |
Paquet / cas | TO-261-4, TO-261AA |