PMDXB600UNELZ

20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
PMDXB600UNELZ P1
PMDXB600UNELZ P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMDXB600UNELZ

Numéro d'article
PMDXB600UNELZ
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article PMDXB600UNELZ
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
Puissance - Max 380mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1010B-6

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