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Numéro d'article | BUK9Y19-55B/C2,115 |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 46A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (Max) | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1992pF @ 25V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |