BSH114,215

MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
BSH114,215 P1
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Nexperia USA Inc. ~ BSH114,215

Numéro d'article
BSH114,215
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BSH114,215
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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