UES1002

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
UES1002 P1
UES1002 P1
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Microsemi Corporation ~ UES1002

Numéro d'article
UES1002
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article UES1002
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 975mV @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 2µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Through Hole
Paquet / cas A, Axial
Package de périphérique fournisseur -
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C

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