MS2212

TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222
MS2212 P1
MS2212 P1
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Microsemi Corporation ~ MS2212

Numéro d'article
MS2212
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article MS2212
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 55V
Fréquence - Transition 960MHz ~ 1.215GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 8.1dB ~ 8.9dB
Puissance - Max 50W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 500mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1.8A
Température de fonctionnement 250°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas M222
Package de périphérique fournisseur M222

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