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| Numéro d'article | JANTX2N4957 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | PNP |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 30V |
| Fréquence - Transition | - |
| Figure de bruit (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gain | 25dB |
| Puissance - Max | 200mW |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-72-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-72 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Détails |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |