Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | JANTX1N6103US |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | 1 |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 5.7V |
| Tension - Panne (Min) | 6.77V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.76V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 42.37A |
| Puissance - Impulsion de crête | 500W |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SQ-MELF, B |
| Package de périphérique fournisseur | B, SQ-MELF |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Détails |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Détails |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Détails |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Détails |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Détails |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |