JANS2N3810L/TR

BJTS
JANS2N3810L/TR P1
JANS2N3810L/TR P1
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Microsemi Corporation ~ JANS2N3810L/TR

Numéro d'article
JANS2N3810L/TR
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
BJTS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- JANS2N3810L/TR PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article JANS2N3810L/TR
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100µA, 1mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Puissance - Max 350mW
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-78-6 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-78

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