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| Numéro d'article | JAN1N2806RB |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 50W |
| Impédance (Max) (Zzt) | 0.4 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 5.4V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 10A |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-204AD |
| Package de périphérique fournisseur | TO-204AD (TO-3) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Détails |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |