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| Numéro d'article | APTSM120AM25CT3AG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET Caractéristique | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 148A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 4mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 544nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| Puissance - Max | 937W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP3 |
| Package de périphérique fournisseur | SP3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APTSM120AM08CT6AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Détails |
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APTSM120AM09CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Détails |
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