APTGLQ100A65T1G

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1
APTGLQ100A65T1G P1
APTGLQ100A65T1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGLQ100A65T1G

Numéro d'article
APTGLQ100A65T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGLQ100A65T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGLQ100A65T1G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Puissance - Max 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1

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