APTGF25H120T2G

MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2
APTGF25H120T2G P1
APTGF25H120T2G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGF25H120T2G

Numéro d'article
APTGF25H120T2G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGF25H120T2G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Puissance - Max 208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP2
Package de périphérique fournisseur SP2

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