APT50GP60JDQ2

IGBT 600V 100A 329W SOT227
APT50GP60JDQ2 P1
APT50GP60JDQ2 P1
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Microsemi Corporation ~ APT50GP60JDQ2

Numéro d'article
APT50GP60JDQ2
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 600V 100A 329W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT50GP60JDQ2 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT50GP60JDQ2
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 329W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 525µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5.7nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®

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