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| Numéro d'article | APT47GA60JD40 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 87A |
| Puissance - Max | 283W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 47A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 275µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 6.32nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT47F60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | - | 10 | Détails |
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APT47GA60JD40 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | - | 10 | Détails |
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APT47M60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | - | 10 | Détails |
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APT47N60BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | - | 60 | Détails |
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APT47N60SC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK | - | 62 | Détails |
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APT47N65BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | - | 20 | Détails |
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APT47N65SCS3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 | - | 0 | Détails |