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| Numéro d'article | APT10SCD120B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 36A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Détails |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Détails |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Détails |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Détails |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Détails |
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APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Détails |
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APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Détails | |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Détails |