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| Numéro d'article | APT100GT60B2RG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 148A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Puissance - Max | 500W |
| Échange d'énergie | 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 460nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 40ns/320ns |
| Condition de test | 400V, 100A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Détails |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Détails |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Détails |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Détails |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Détails |
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APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Détails |
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APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Détails | |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Détails |