1N6079US

DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF
1N6079US P1
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Microsemi Corporation ~ 1N6079US

Numéro d'article
1N6079US
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1N6079US
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Courant - Rectifié moyen (Io) 2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.5V @ 37.7A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SQ-MELF, G
Package de périphérique fournisseur G-MELF (D-5C)
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 155°C

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