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Microsemi Corporation ~ 1N5617E3

Numéro d'article	1N5617E3
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	800mV @ 3A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	150ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	500nA @ 400V
Capacitance @ Vr, F	35pF @ 12V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	A, Axial
Package de périphérique fournisseur	A, Axial
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
1N5059GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	8000	Détails
1N5059GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	0	Détails
1N5059TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Détails
1N5059TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Détails
1N5060 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A	-	0	Détails
1N5060GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	8000	Détails
1N5060GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Détails
1N5060GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Détails
1N5060GPHE3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Détails
1N5060TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	0	Détails
1N5060TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	20000	Détails
1N5061 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A	-	0	Détails